NEET प्रश्न (MCQ) हिंदी में — उत्तर और विस्तृत हल सहित

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एक P-प्रकार का अर्धचालक को जोड़कर प्राप्त किया जा सकता है

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(b) Ga की संयोजकता 3 है।

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N-प्रकार का अर्धचालक होता है

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(c) N-प्रकार के अर्धचालक उदासीन होते हैं क्योंकि डोपिंग के दौरान उदासीन परमाणु जोड़े जाते हैं।

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जब एक अर्धचालक को गर्म किया जाता है, तो इसका प्रतिरोध

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(a) तापमान वृद्धि के साथ अर्धचालकों की चालकता बढ़ती है

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तार P और Q का सामान्य (कमरे के) तापमान पर समान प्रतिरोध होता है। गर्म करने पर, P का प्रतिरोध बढ़ता है और Q का प्रतिरोध घटता है। हम निष्कर्ष निकालते हैं कि

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(d) चालक में प्रतिरोध का धनात्मक तापमान गुणांक होता है जबकि अर्धचालक में प्रतिरोध का ऋणात्मक तापमान गुणांक होता है।

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जब Ge क्रिस्टल में फॉस्फोरस परमाणु डोप किया जाता है, तो यह बन जाता है 

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(c) फॉस्फोरस पंचसंयोजी है।

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P-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक आवेश वाहक क्रमशः हैं

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(d) P-प्रकार के अर्धचालकों में, होल बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं और इलेक्ट्रॉन अल्पसंख्यक आवेश वाहक होते हैं

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चालकों, अर्धचालकों और कुचालकों में निषिद्ध ऊर्जा बैंड अंतराल क्रमशः EG1,EG2 and EG3 और क्रमशः हैं। इनके बीच का संबंध है

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(b) कुचालकों में निषिद्ध ऊर्जा अंतराल बहुत बड़ा होता है, अर्धचालक के मामले में यह मध्यम होता है और चालकों में ऊर्जा अंतराल शून्य होता है।

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बाह्य P और N-प्रकार, अर्धचालक पदार्थों में, अशुद्धि परमाणुओं का शुद्ध अर्धचालक परमाणुओं से अनुपात लगभग होता है 

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(d) बाह्य अर्धचालकों में, 10-7 अशुद्धि परमाणु प्रति शुद्ध अर्धचालक के एक परमाणु में मिश्रित होते हैं।

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मान लीजिए nP और ne क्रमशः एक अर्धचालक में होल और चालन इलेक्ट्रॉनों की संख्या हैं। तब

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(c) आंतरिक अर्धचालकों में, तापीय ऊर्जा द्वारा एक मुक्त इलेक्ट्रॉन के निर्माण या मुक्ति ने एक होल बनाया है। इस प्रकार आंतरिक अर्धचालकों में  nP=ne

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कमरे के तापमान पर जर्मेनियम के ऊर्जा बैंडों में निषिद्ध अंतराल लगभग होता है 

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(c) ∆Eg(Germanium)=0.67 eV

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