रसायन विज्ञान (Chemistry) NEET प्रश्न हिंदी में — उत्तर सहित MCQ अभ्यास

(b) यदि हम विपरीत प्रक्रिया पर विचार करें:

    $$\begin{gathered} \left(a\right) F_{\left(g\right)}+e^{-}\to {F^{-}}_{\left(g\right)} ; ∆H_1 \\ \left(b\right) P_{\left(g\right)}+e^{-}\to {P^{-}}_{\left(g\right)} ; ∆H_2 \\ \left(c\right) S_{\left(g\right)}+e^{-}\to {S^{-}}_{\left(g\right)} ; ∆H_3 \\ \left(d\right) C{l}_{\left(g\right)}+e^{-}\to C{l^{-}}_{\left(g\right) }; ∆H_4 \\ Order of energy releases is : ∆H_4>∆H_1>∆H_3>∆H_2 \end{gathered}$$

$So, {P^{-}}_{\left(g\right)}\to e^{‐}; Requires least energy.$

(D) F परमाणु के छोटे आकार के कारण, संहत 2p-उपकोश में इलेक्ट्रॉन-इलेक्ट्रॉन प्रतिकर्षण बड़े होते हैं और इसलिए आने वाले इलेक्ट्रॉन को उसी सरलता से स्वीकार नहीं किया जाता जैसा कि Cl के मामले में होता है (कम इलेक्ट्रॉन-इलेक्ट्रॉन प्रतिकर्षण)।

(A), (C) और (D) सही कथन हैं।

(B) पहले B से Al तक घटती है और फिर तत्व के परमाणु आकार में विसंगतियों के कारण मामूली रूप से बढ़ती है।

(d) $E{A}_1$ तत्वों के लिए ऊष्माक्षेपी है और $E{A}_2$ ऊष्माशोषी है। इसके अलावा $E{A}_2$ के लिए $O$ > $E{A}_1$ O के लिए।

(d) 

   $$\begin{gathered} \left(a\right) \underset{4p^4}{Se}\stackrel{I.E{.}_1}{\to }\underset{4p^3}{S{e}^{+}}\stackrel{I.E{.}_2}{\to }\underset{4p^2}{S{e}^{2+}} \underset{4p^3}{As}\stackrel{I.E{.}_1}{\to }\underset{4p^2}{A{s}^{+}}\stackrel{I.E{.}_2}{\to }\underset{4p^1}{A{s}^{2+}} \\ \left(b\right) \underset{2p^2}{C}\to \underset{2p^1}{C^{+}}\to {\underset{2s^2}{C}}^{2+} \underset{2p^3}{N}\to {\underset{2p^2}{N}}^{+}\to {\underset{2p^1}{N}}^{2+} \underset{2p^4}{O}\to {\underset{2p^3}{O}}^{+}\to {\underset{2p^2}{O}}^{2+} \\ \left(c\right) \underset{2p^5}{F}\stackrel{I.E{.}_1}{\to }\underset{2p^4}{F^{+}}\stackrel{I.E{.}_2}{\to }{\underset{2p^3}{F}}^{2+}\stackrel{I.E{.}_3}{\to } F^{3+} \underset{2p^4}{O}\stackrel{I.E{.}_1}{\to }\underset{2p^3}{O^{+}}\stackrel{I.E{.}_2}{\to }{\underset{2p^2}{O}}^{2+}\stackrel{I.E{.}_3}{\to }{O}^{3+} \\ \left(d\right) In respective period, noble gases have higher than +2. \end{gathered}$$

(D) (A) जैसे-जैसे विद्युतऋणात्मकता बढ़ती है, अधात्विक गुण बढ़ता है क्योंकि ऋणायन बनाने की प्रवृत्ति बढ़ती है।

(B) यह उनके SRP मानों पर आधारित है। (ऑक्सीकारक क्षमता जलयोजन ऊर्जाओं, विद्युतऋणात्मकताओं, बंध वियोजन ऊर्जाओं और इलेक्ट्रॉन लाभ एन्थैल्पियों का संचयी प्रभाव हो सकती है।)

(C) C =-121; Si = -135; P =-60; N = +31 (सभी मान KJ/mole में हैं)। यह परमाणु के आकार, नाभिकीय आवेश, आंशिक रूप से भरे, अर्ध-भरे और पूर्णतः भरे इलेक्ट्रॉनिक विन्यासों जैसे विभिन्न कारकों पर निर्भर करता है।

उपलब्ध कक्षाओं `4d,5s` और 5p की ऊर्जा जिस क्रम में बढ़ती है, वह है `5s lt 4d lt 5p` और उपलब्ध कक्षकों की कुल संख्या 9 है, इस प्रकार 18 इलेक्ट्रॉन समायोजित किए जा सकते हैं

(A) उच्च विद्युतऋणात्मकता और छोटा आकार, केवल – ऑक्सीकरण अवस्था रखता है।

B

$$\begin{gathered} \left(a\right) \left[Ar\right]3d^{5}4s^1 \to Cr\left(24\right) \to 4^{th} period, 6^{th} group \\ \left(b\right) \left[Kr\right]4d^{10} \to Pd\left(46\right) \to 5^{th} period, {10}^{th} group \\ \left(c\right) \left[Rn\right]6d^{2}7s^2 \to Th\left(90\right) \to 7^{th} period, 3rd group \\ \left(d\right) \left[Xe\right]4f^{14}5d^{2}6s^2 \to Hf\left(72\right) \to 6^{th} period, 3^{rd} group \end{gathered}$$

(B) ऑक्सीकरण अवस्था $\propto$ विद्युतऋणात्मकता।

ऑक्सीकरण अवस्था में वृद्धि के साथ विद्युतऋणात्मकता बढ़ती है; इसलिए विद्युतऋणात्मकता में अंतर (तत्व और ऑक्सीजन के बीच) घटता है और अम्लीय गुण बढ़ता है।