NEET प्रश्न (MCQ) हिंदी में — उत्तर और विस्तृत हल सहित

जब एक काय विकर्ण के अनुदिश सभी कण हटाए जाते हैं, तो कोने से 2 X परमाणु हटते हैं, एक Y कण हटता है तथा 2 Z कण हटते हैं।

अतः नई व्यवस्था में, X कण = $\frac{1}{8}\times 6+\frac{1}{2}\times 6=\frac{15}{4}$; Y कण = 6 ; Z कण = 3

अतः सूत्र = X_15/4Y₃Z₆ = X_5/4YZ₆ = X₅Y₄Z₈

d_c-c = $\sqrt{\frac{1}{16}+\frac{1}{16}+\frac{1}{16}}=\sqrt{\frac{3}{16}}$ तथा a_FCC = 1 

M_xO के 1 मोल में, M²⁺ आयन के मोल = y

∴ M³⁺ आयन के मोल = x – y।

आवेश संतुलन लगाने पर, 2y + 3(x – y) – 2 = 0

⇒ y = 3x – 2

∴ $\frac{{\text{M}}^{\text{3+}}}{{\text{M}}^{\text{2+}}}=\frac{\text{x\hspace{0.17em}}-\text{\hspace{0.17em}y}}{\text{y}}=\frac{\text{x\hspace{0.17em}}-(3\text{x\hspace{0.17em}}-2)}{3\text{x\hspace{0.17em}}-2}=\frac{2(\text{x\hspace{0.17em}}-1)}{3\text{x\hspace{0.17em}}-2}$

d⁸ → Ni²⁺, d⁷ → Ni³⁺.

निकैल का कुल आवेश।

(0.96 × 2) + (0.04 × 3) = 2.04.

O की संख्या^2- आयन = $\frac{2.04}{2}\hspace{0.17em}=\hspace{0.17em}1.02.$= 1.02. 

ठोस का सूत्र = NiO_1.02 = Ni_0.98O.

कमरे के ताप पर ऊष्मीय ऊर्जा के कारण Si-Si आबंधों के कुछ इलेक्ट्रॉन निकल जाते हैं। इलेक्ट्रॉन-न्यून आबंध एक धनात्मक कोटर बन जाता है। धनात्मक कोटर तथा निर्मुक्त इलेक्ट्रॉन दोनों विद्युत के चालन के लिए उत्तरदायी हैं।

हमारे पास है, $d=\frac{a}{\sqrt{h^2+k^2+{\ell }^2}}$; $d_{111}=\frac{0.556}{\sqrt{1^2+1^2+1^2}}=0.321nm$ 

111 तलों का पृथक्करण 222 तलों की तुलना में दोगुना है।

षट्कोणीय आधार छह समबाहु त्रिभुजों से बना है, प्रत्येक की भुजा 2r तथा शीर्षलंब 2r sin 60° है।

अतः आधार का क्षेत्रफल = $\text{6\hspace{0.17em}}\left(\frac{{\displaystyle 1}}{{\displaystyle 2}}\left(2r\right)\hspace{0.17em}\left(2rsin{60}^o\right)\right)=6\sqrt{3}.r^2$

षट्कोणीय की ऊँचाई निकटतम संकुलित परतों के बीच की दूरी की दोगुनी है।

इसे एकक कोष्ठिका लंबाई a वाले फलक-केंद्रित घनीय जालक से ज्ञात किया जा सकता है। ऐसे जालक में निकटतम संकुलित परतों के बीच की दूरी काय विकर्ण की एक-तिहाई होती है, अर्थात् $\frac{\sqrt{3}a}{3}$

अतः $\text{ Height }\left(h\right)=2\left[\frac{{\displaystyle \sqrt{3}a}}{{\displaystyle 3}}\right]=\frac{2a}{\sqrt{3}}$

अब, फलक-केंद्रित जालक में परमाणु फलक विकर्ण के अनुदिश एक-दूसरे को स्पर्श करते हैं,

इस प्रकार, $4r=\sqrt{2}.a$

इससे षट्कोणीय की ऊँचाई हो जाती है : $\text{ Height }\left(h\right)=\frac{2}{\sqrt{3}}\left[\frac{{\displaystyle 4r}}{{\displaystyle \sqrt{2}}}\right]=\left[4\frac{{\displaystyle \sqrt{2}}}{{\displaystyle 3}}\right].r$

षट्कोणीय एकक का आयतन है, V = (आधार क्षेत्रफल) × (ऊँचाई) $=\left(6\sqrt{3}{r}^2\right)\left[\frac{{\displaystyle 4\sqrt{2}}}{{\displaystyle \sqrt{3}}}.r\right]=24\sqrt{2}.r^3$

एक षट्कोणीय एकक कोष्ठिका में 6 परमाणु होते हैं जैसा नीचे बताया गया है :

• केंद्रीय परत में 3 परमाणु जो पूर्णतः इसी एकक कोष्ठिका के होते हैं।

• आधार के केंद्र से 1 परमाणु। इस प्रकार के दो परमाणु होते हैं तथा प्रत्येक दो षट्कोणीय एकक कोष्ठिकाओं में साझा होता है।

• कोनों से 2 परमाणु। ऐसे 12 परमाणु होते हैं तथा प्रत्येक छह षट्कोणीय एकक कोष्ठिकाओं में साझा होता है।

अब, परमाणुओं द्वारा अधिकृत आयतन = $6\left[\frac{{\displaystyle 4}}{{\displaystyle 3}}\pi r^3\right]$

परमाणुओं द्वारा अधिकृत आयतन का प्रभाज $=\frac{\text{Volume occupied by atoms}}{\text{Volume of hexagonal unit cell}}$$=\frac{6\left(\frac{4}{3}\pi r^3\right)}{24\sqrt{2}.r^3}=\pi /3\sqrt{2}=0.74.$

रिक्त स्थान का प्रभाज = $(1.00-0.74)=0.26$

रिक्त स्थान का प्रतिशत = 26% 

(bcc) क्रिस्टलों में परमाणु काय विकर्ण के अनुदिश एक-दूसरे को स्पर्श करते हैं।

अतः परमाणु त्रिज्या $\left(R\right)=\frac{a\sqrt{3}}{4}=351\times \frac{\sqrt{3}}{4}=151.98 pm$