Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits NEET प्रश्न हिंदी में — भौतिक विज्ञान (Physics) MCQ उत्तर सहित

Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits (Physics) के NEET बहुविकल्पीय प्रश्न हिंदी में मुफ़्त हल करें — तुरंत सही उत्तर और विस्तृत व्याख्या के साथ। लॉगिन की आवश्यकता नहीं।

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एक अर्धचालक पदार्थ में, इलेक्ट्रॉनों और होलों की गतिशीलता क्रमशः μe और μh हैं। निम्नलिखित में से कौन सा सत्य है?

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(a) क्योंकि इलेक्ट्रॉनों को चलने के लिए कम ऊर्जा की आवश्यकता होती है।

एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों के कारण कुल धारा में योगदान क्रमशः 34 और 14 है। यदि इस तापमान पर इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग होलों के अपवाह वेग का 52 गुना है, तो इलेक्ट्रॉनों और होलों की सांद्रता का अनुपात है

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(a) जैसा कि हम जानते हैं धारा घनत्व J=nqv

Je=neqve  and Jh=nhqvhJeJh=nenh×vevh3/41/4=nenh×520nenh=65

धातु और अर्धचालक में तापमान के साथ प्रतिरोध की भिन्नता में अंतर मूलतः में अंतर के कारण उत्पन्न होता है 

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(c) धातु में, तापमान में वृद्धि के साथ आवेश वाहकों की संख्या समान रहती है और उनकी गतिज ऊर्जा बढ़ती है।

अर्धचालक में, तापमान में वृद्धि के साथ आवेश वाहकों की संख्या बढ़ती है।

पृथक फॉस्फोरस परमाणु की आयनन ऊर्जा 10 eV है। Si में उसी परमाणु की आयनन ऊर्जा लगभग________- eV है (सिलिकॉन की सापेक्ष विद्युतशीलता = 12)

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फॉस्फोरस के 5 संयोजी इलेक्ट्रॉनों में से 4 Si के साथ साझा होते हैं। पाँचवें इलेक्ट्रॉन को नाभिक के चारों ओर परिक्रमा करता हुआ माना जा सकता है। स्थिति H-परमाणु जैसी है $ En \approx -13.6 /n^2 ev $ n = 1 के लिए , EN = -13.6 ev $E inside lattice = { En \over \epsilon_1^2 } = { -13.6 \over 12^2} =0.1 ev $

किसी N-P-N ट्रांजिस्टर परिपथ में उत्सर्जक, संग्राहक तथा आधार धाराएँ क्रमशः $I_E, I_C and I_B$ हैं। उनके बीच संबंध है

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किसी N-P-N ट्रांजिस्टर परिपथ में उत्सर्जक धारा (I_E) आधार धारा (I_B) तथा संग्राहक धारा (I_C) का योग होती है। अतः सही संबंध $$ I_E = I_B + I_C $$ है, जिसका अर्थ है $$ I_B < I_C < I_E $$।

कोई p-n फोटोडायोड 2.5 eV. के बैंड अंतराल वाले किसी अर्धचालक से बनाया गया है। वह किस तरंगदैर्ध्य के संकेत का संसूचन कर सकता है 

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मुख्य विचार    केवल देहली तरंगदैर्ध्य से कम तरंगदैर्ध्य वाले संकेतों का ही संसूचन होगा।

 Energy            E=hv=hcλ                      λ=hcE

उपरोक्त समीकरण में h, c तथा E का मान रखने पर 

  λ=6.6×10-34×3×1082.5×1.6×10-19=5000 A

   चूँकि  4000 A<5000 A

 तरंगदैर्ध्य 4000 A का संकेत फोटोडायोड द्वारा संसूचित किया जा सकता है।

सोडियम में अंतःकेंद्रित संकुलन होता है। दो निकटतम परमाणुओं के बीच दूरी 3.7A0 है। जालक प्राचल है 

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किसी अंतःकेंद्रित घनीय सेल की पड़ोसी दूरी d=32a, where a is the lattice parameter.

                   3.7=3a2

अथवा  a=2×3.73=4.3A0

यदि किसी क्रिस्टलीय संरचना के लिए जालक प्राचल 3.6 A0, है तो fcc क्रिस्टल में परमाणु त्रिज्या है

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परमाणु त्रिज्या दो निकटतम पड़ोसियों के बीच की दूरी है। fcc क्रिस्टल के लिए

परमाणु त्रिज्या = 122×lattice parameter

अथवा  r=a22

अथवा  r=3.622 A0=1.27  A0

PN-संधि डायोड के अग्र तथा पश्च अभिनति में प्रतिरोधों का लगभग अनुपात है

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(d) अग्र अभिनति में प्रतिरोध Rfr10Ω तथा पश्च अभिनति में प्रतिरोध RRW105Ω

RfrRRW=1104

किसी अर्धचालक में, इलेक्ट्रॉनों की सांद्रता 8×1014 cm3 है तथा कोटरों की 5×1012 cm3 है। अर्धचालक है

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(b) चूँकि ne/nh ; अर्धचालक N-प्रकार का है।

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Frequently Asked Questions

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