एक अच्छे चालक में चालन बैंड और संयोजकता बैंड के बीच ऊर्जा अंतराल होता है
(d) चालकों में चालन बैंड और संयोजकता बैंड एक-दूसरे में विलीन हो जाते हैं।
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एक अच्छे चालक में चालन बैंड और संयोजकता बैंड के बीच ऊर्जा अंतराल होता है
(d) चालकों में चालन बैंड और संयोजकता बैंड एक-दूसरे में विलीन हो जाते हैं।
एक अर्धचालक में चालन बैंड और संयोजक बैंड के बीच का पृथक्करण कोटि का होता है
(c) अर्धचालकों में, निषिद्ध ऊर्जा अंतराल 1 eV कोटि का होता है।
एक अर्धचालक को से तक ठंडा किया जाता है। इसका प्रतिरोध
(b) अर्धचालक का प्रतिरोध ∝
आंतरिक अर्धचालक में कमरे के तापमान पर, इलेक्ट्रॉनों और होलों की संख्या होती है
(a) कमरे के तापमान पर आंतरिक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों की संख्या बराबर होती है।
Si का ऊर्जा बैंड गैप है
(b) Si के लिए ऊर्जा बैंड गैप = 1.1 eV
जब N-प्रकार का अर्धचालक गर्म किया जाता है
(d) जब एक मुक्त इलेक्ट्रॉन उत्पन्न होता है, तब साथ ही एक होल भी उत्पन्न होता है।
जर्मेनियम में N-प्रकार का अर्धचालक बनाने के लिए मिलाया जाने वाला अशुद्धि परमाणु है
(a) N-प्रकार के अर्धचालक के लिए, अशुद्धि पंचसंयोजी होनी चाहिए।
शून्य Kelvin पर germanium का एक टुकड़ा
(c) शून्य Kelvin पर, कोई तापीय उत्तेजना नहीं होती है और इसलिए संयोजक बैंड से कोई इलेक्ट्रॉन चालन बैंड में स्थानांतरित नहीं हो पाता है।
आंतरिक अर्धचालक विद्युतरोधी बन जाता है पर
(d) 0K तापमान पर अर्धचालक विद्युतरोधी की तरह व्यवहार करता है, क्योंकि बहुत कम तापमान पर इलेक्ट्रॉन संयोजी बैंड से चालन बैंड में नहीं कूद सकते।
एक अर्धचालक के प्रतिरोध का तापमान गुणांक
(b) एक अर्धचालक के प्रतिरोध का तापमान गुणांक सदैव ऋणात्मक होता है।
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