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विभिन्न पदार्थों के लिए ऊर्जा बैंड अंतराल ($E_g$) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन-सा कथन गलत है?
पाठ कहता है: 'C (हीरा), Si और Ge के लिए ऊर्जा अंतराल क्रमशः 5.4 eV, 1.1 eV और 0.7 eV हैं। Sn भी वर्ग IV का तत्व है किंतु यह धातु है क्योंकि इसके मामले में ऊर्जा अंतराल 0 eV है।' इसलिए, Sn के लिए $E_g > 3 \text{ eV}$ गलत है।
संयोजकता बैंड का प्राथमिक लक्षण क्या है?
पाठ परिभाषित करता है: 'वह ऊर्जा बैंड जिसमें संयोजकता इलेक्ट्रॉनों के ऊर्जा स्तर शामिल होते हैं, संयोजकता बैंड कहलाता है।'
कमरे के ताप पर अल्पसंख्यक वाहक सांद्रता के संदर्भ में बाह्य अर्धचालक नैज अर्धचालकों से किस प्रकार भिन्न होते हैं?
संदर्भ कहता है: 'बाह्य अर्धचालकों में, बहुसंख्यक धारा वाहकों की प्रचुरता के कारण, तापीय रूप से उत्पन्न अल्पसंख्यक वाहकों के बहुसंख्यक वाहकों से मिलने और इस प्रकार नष्ट होने की संभावना अधिक होती है। अतः अपमिश्रक, एक प्रकार के धारा वाहकों की बड़ी संख्या जोड़कर, जो बहुसंख्यक वाहक बन जाते हैं, अल्पसंख्यक वाहकों की नैज सांद्रता को कम करने में परोक्ष रूप से सहायता करता है।'
किसी पदार्थ के विद्युत गुणों के निर्धारण में ऊर्जा अंतराल ($E_g$) का क्या महत्व है?
पाठ अर्धचालकों के लिए इसे स्पष्ट रूप से समझाता है: 'यहाँ एक परिमित किंतु छोटा बैंड अंतराल ($E_g < 3 \text{ eV}$) विद्यमान होता है। छोटे बैंड अंतराल के कारण, कमरे के ताप पर संयोजकता बैंड के कुछ इलेक्ट्रॉन ऊर्जा अंतराल को पार करके चालन बैंड में प्रवेश करने के लिए पर्याप्त ऊर्जा प्राप्त कर सकते हैं।' इसका अर्थ है कि छोटे $E_g$ के लिए संक्रमण आसान होता है, जिससे चालन होता है।
अर्धचालक ऊर्जा बैंड आरेखों में चालन बैंड के तल ($E_C$) और संयोजकता बैंड के शीर्ष ($E_V$) को निम्नलिखित में से कौन-सा लक्षण परिभाषित करता है?
'POINTS TO PONDER' खंड कहता है: 'अर्धचालकों में ऊर्जा बैंड ($E_C$ या $E_V$) दिक्-विस्थानीकृत होते हैं, जिसका अर्थ है कि ये ठोस के भीतर किसी विशेष स्थान पर स्थित नहीं होते। ऊर्जाएँ समग्र औसत हैं। जब आप ऐसा चित्र देखें जिसमें $E_C$ या $E_V$ सीधी रेखाओं के रूप में खींचे गए हों, तो उन्हें क्रमशः केवल चालन बैंड के तल के ऊर्जा स्तर और संयोजकता बैंड के शीर्ष के ऊर्जा स्तर के रूप में लेना चाहिए।'
n-प्रकार के सिलिकॉन अर्धचालक में, दाता ऊर्जा स्तर ($E_D$) स्थित होता है:
NCERT पाठ के अनुसार, 'n-प्रकार Si अर्धचालक के ऊर्जा बैंड आरेख में, दाता ऊर्जा स्तर $E_D$ चालन बैंड के तल $E_C$ से थोड़ा नीचे होता है और इस स्तर के इलेक्ट्रॉन बहुत थोड़ी ऊर्जा की आपूर्ति से चालन बैंड में चले जाते हैं।'
p-प्रकार के अर्धचालक के लिए, ग्राही ऊर्जा स्तर ($E_A$) स्थित होता है:
NCERT कहती है, 'p-प्रकार के अर्धचालक के लिए, ग्राही ऊर्जा स्तर $E_A$ संयोजकता बैंड के शीर्ष $E_V$ से थोड़ा ऊपर होता है, जैसा चित्र 14.9(b) में दर्शाया गया है।'
कमरे के ताप पर, n-प्रकार के बाह्य अर्धचालक में, चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों का प्रमुख स्रोत क्या है?
NCERT पाठ उल्लेख करता है कि 'कमरे के ताप पर, अधिकांश दाता परमाणु आयनित हो जाते हैं किंतु Si के बहुत कम (~10^12) परमाणु आयनित होते हैं। अतः चालन बैंड में अधिकांश इलेक्ट्रॉन दाता अशुद्धियों से आए होंगे...'
कमरे के ताप पर p-प्रकार के अर्धचालक में, संयोजकता बैंड में होलों का घनत्व मुख्यतः किससे निर्धारित होता है?
NCERT कहती है, 'कमरे के ताप पर, अधिकांश ग्राही परमाणु आयनित होकर संयोजकता बैंड में होल छोड़ देते हैं। अतः कमरे के ताप पर संयोजकता बैंड में होलों का घनत्व मुख्यतः बाह्य अर्धचालक में अशुद्धि के कारण होता है।'
बाह्य अर्धचालक में अपमिश्रण अल्पसंख्यक वाहकों की नैज सांद्रता को कैसे प्रभावित करता है?
दिया गया पाठ समझाता है, 'बाह्य अर्धचालकों में, बहुसंख्यक धारा वाहकों की प्रचुरता के कारण, तापीय रूप से उत्पन्न अल्पसंख्यक वाहकों के बहुसंख्यक वाहकों से मिलने और इस प्रकार नष्ट होने की संभावना अधिक होती है। अतः अपमिश्रक, एक प्रकार के धारा वाहकों की बड़ी संख्या जोड़कर, जो बहुसंख्यक वाहक बन जाते हैं, अल्पसंख्यक वाहकों की नैज सांद्रता को कम करने में परोक्ष रूप से सहायता करता है।'
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