Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits (Physics) के NEET बहुविकल्पीय प्रश्न हिंदी में मुफ़्त हल करें — तुरंत सही उत्तर और विस्तृत व्याख्या के साथ। लॉगिन की आवश्यकता नहीं।
कौन-सा कथन बाह्य अर्धचालकों की समग्र आवेश उदासीनता का सही वर्णन करता है?
NCERT स्पष्ट रूप से कहती है, 'ध्यान दें कि क्रिस्टल समग्र आवेश उदासीनता बनाए रखता है क्योंकि अतिरिक्त आवेश वाहकों का आवेश जालक में आयनित कोरों के आवेश के ठीक बराबर और विपरीत होता है।'
n-प्रकार के अर्धचालक में, दाता ऊर्जा स्तर ($E_D$) के इलेक्ट्रॉन बहुत थोड़ी ऊर्जा की आपूर्ति से चालन बैंड ($E_C$) में क्यों जा सकते हैं?
पाठ कहता है, 'दाता ऊर्जा स्तर ED चालन बैंड के तल EC से थोड़ा नीचे होता है और इस स्तर के इलेक्ट्रॉन बहुत थोड़ी ऊर्जा की आपूर्ति से चालन बैंड में चले जाते हैं।' इस निकटता का अर्थ है कि उत्तेजन के लिए न्यूनतम ऊर्जा चाहिए।
n-प्रकार के अर्धचालक में, कमरे के ताप पर, दाता परमाणुओं और नैज सिलिकॉन परमाणुओं के आयनन के संबंध में निम्नलिखित में से कौन-सा सत्य है?
NCERT पाठ कहता है, 'कमरे के ताप पर, अधिकांश दाता परमाणु आयनित हो जाते हैं किंतु Si के बहुत कम (~10^12) परमाणु आयनित होते हैं।' यह स्पष्ट रूप से दर्शाता है कि दाता परमाणु मुख्यतः आयनित होते हैं।
p-प्रकार के अर्धचालक में, संयोजकता बैंड से किसी इलेक्ट्रॉन के ग्राही स्तर $E_A$ पर कूदने का तुल्य वर्णन क्या है?
NCERT समझाती है, 'वैकल्पिक रूप से, हम यह भी कह सकते हैं कि बहुत थोड़ी ऊर्जा की आपूर्ति से स्तर $E_A$ का होल नीचे संयोजकता बैंड में डूब जाता है। बाह्य ऊर्जा प्राप्त करने पर इलेक्ट्रॉन ऊपर उठते हैं और होल नीचे गिरते हैं।'
तापीय साम्य में किसी भी बाह्य अर्धचालक के लिए, इलेक्ट्रॉन सांद्रता ($n_e$), होल सांद्रता ($n_h$) और नैज वाहक सांद्रता ($n_i$) के बीच सही संबंध क्या है?
NCERT यह मूलभूत संबंध बताती है: '$n_e n_h = n_i^2$ (14.5)'।
बाह्य अर्धचालकों में अतिरिक्त ऊर्जा अवस्थाओं ($E_D$ और $E_A$) की उपस्थिति मुख्यतः उनके गुणों के किस पहलू को बदलती है?
NCERT कहती है, 'अपमिश्रण से अर्धचालक की ऊर्जा बैंड संरचना प्रभावित होती है। बाह्य अर्धचालकों के मामले में, दाता अशुद्धियों ($E_D$) और ग्राही अशुद्धियों ($E_A$) के कारण अतिरिक्त ऊर्जा अवस्थाएँ भी विद्यमान होती हैं।' यह सीधे उनकी विद्युत चालकता को प्रभावित करता है।
n-प्रकार के अर्धचालक में, इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक होते हैं। इस लक्षण को स्थापित करने में दाता अशुद्धि परमाणुओं की क्या भूमिका है?
NCERT कहती है, 'पंचसंयोजी अशुद्धि से अपमिश्रित अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक बन जाते हैं... इसलिए इन अर्धचालकों को n-प्रकार के अर्धचालक कहते हैं।' और, 'दाता ऊर्जा स्तर ED चालन बैंड के तल EC से थोड़ा नीचे होता है और इस स्तर के इलेक्ट्रॉन बहुत थोड़ी ऊर्जा की आपूर्ति से चालन बैंड में चले जाते हैं।' दाता परमाणु ये इलेक्ट्रॉन 'दान' करते हैं।
निम्नलिखित में से कौन-सा अशुद्धि अपमिश्रण के कारण p-प्रकार के अर्धचालक के संयोजकता बैंड में उत्पन्न होलों की प्रकृति का सही वर्णन करता है?
NCERT कहती है 'संयोजकता बैंड से एक इलेक्ट्रॉन स्तर EA पर कूदकर ग्राही को ऋणात्मक रूप से आयनित कर सकता है। (वैकल्पिक रूप से, हम यह भी कह सकते हैं कि बहुत थोड़ी ऊर्जा की आपूर्ति से स्तर EA का होल नीचे संयोजकता बैंड में डूब जाता है।) कमरे के ताप पर, अधिकांश ग्राही परमाणु आयनित होकर संयोजकता बैंड में होल छोड़ देते हैं।' यह प्रक्रिया संयोजकता बैंड में होल छोड़ती है।
C (हीरा), Si और Ge के ऊर्जा अंतरालों की तुलना करने पर, कौन-सा कथन सही है?
NCERT कहती है, 'C (हीरा), Si और Ge के लिए ऊर्जा अंतराल क्रमशः 5.4 eV, 1.1 eV और 0.7 eV हैं।' यह दर्शाता है कि Ge का सबसे छोटा है, फिर Si, फिर C।
अर्धचालक में जब इलेक्ट्रॉन और होल बाह्य ऊर्जा प्राप्त करते हैं तो उनका क्या होता है?
NCERT पाठ उल्लेख करता है, 'बाह्य ऊर्जा प्राप्त करने पर इलेक्ट्रॉन ऊपर उठते हैं और होल नीचे गिरते हैं।'
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