क्या Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits के ये प्रश्न मुफ़्त में हल किए जा सकते हैं?

हाँ। इस पेज के हर Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits प्रश्न को बिना लॉगिन किए मुफ़्त हल किया जा सकता है, और सही उत्तर व विस्तृत व्याख्या तुरंत देखी जा सकती है।

क्या Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits MCQ हिंदी में हल करने के लिए खाता ज़रूरी है?

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क्या ये NEET के पिछले वर्षों के प्रश्न (PYQ) हैं?

इस प्रश्न बैंक में NEET के पिछले वर्षों के प्रश्न (PYQ) और अभ्यास प्रश्न दोनों शामिल हैं — जहाँ लागू हो, हर प्रश्न पर उसका परीक्षा वर्ष अंकित है।

Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits NEET प्रश्न हिंदी में — मुफ़्त MCQ अभ्यास

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निम्नलिखित में से कौन सा अर्धचालक है?

A. teflon B. CuO C. कांच D. $ Cu_2 O $

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जब p-n जंक्शन अग्र अभिनत होता है:

A.

अवक्षय क्षेत्र मोटा हो जाता है

B.

p-पक्ष, n-पक्ष की तुलना में उच्च विभव पर होता है

C.

प्रवाहित धारा शून्य होती है

D.

प्रभावी प्रतिरोध $10^{6} W$ कोटि का होता है

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Explanation

अग्र अभिनति में, p-क्षेत्र उच्च विभव पर होता है और n-क्षेत्र निम्न विभव पर होना चाहिए।

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यदि सिलिकॉन क्रिस्टल में थोड़ी मात्रा में एल्युमिनियम मिलाया जाता है

A.

इसका प्रतिरोध कम हो जाता है

B.

यह p-प्रकार का अर्धचालक बन जाता है

C.

अर्धचालक में मुक्त इलेक्ट्रॉन होल से कम होंगे

D.

ये सभी सही हैं

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Explanation

यदि शुद्ध अर्धचालक में त्रिसंयोजक अशुद्धि मिलाई जाती है, तो p-प्रकार का अर्धचालक बनता है। p-प्रकार के अर्धचालक में, बहुसंख्यक आवेश वाहक होल होते हैं और अल्पसंख्यक आवेश वाहक इलेक्ट्रॉन होते हैं।

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n-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा सही है?

A.

इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक है और त्रिसंयोजक परमाणु अपमिश्रक हैं।

B.

इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक हैं और पंचसंयोजक परमाणु अपमिश्रक हैं।

C.

होल बहुसंख्यक वाहक हैं और पंचसंयोजक परमाणु अपमिश्रक हैं।

D.

होल बहुसंख्यक वाहक हैं और त्रिसंयोजक परमाणु अपमिश्रक हैं।

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n-प्रकार के अर्धचालकों में, बहुसंख्यक आवेश वाहक इलेक्ट्रॉन होते हैं और अल्पसंख्यक आवेश वाहक होल होते हैं जब पंचसंयोजक अशुद्धि को शुद्ध अर्धचालक में मिलाया जाता है।

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अर्धचालकों में, निम्नलिखित में से कौन सा द्रव्यमान क्रिया का नियम देता है (जहाँ प्रतीकों के सामान्य अर्थ हैं)-

A.

$n_{1} = n_{e} = n_{h}$

B.

${n_{i}}^{2} = n_{e} n_{h}$

C.

$n_{h} > > n_{e}$

D.

$n_{h} < < n_{e}$

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Explanation

2. ${n_{i}}^{2} = n_{e} n_{h}$

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p-n संधि के अग्र अभिनति में

A.

बैटरी का धनात्मक टर्मिनल n-पक्ष से जुड़ा होता है और अवक्षय क्षेत्र पतला हो जाता है

B.

बैटरी का धनात्मक टर्मिनल n-पक्ष से जुड़ा होता है और अवक्षय क्षेत्र मोटा हो जाता है

C.

बैटरी का धनात्मक टर्मिनल p-पक्ष से जुड़ा होता है और अवक्षय क्षेत्र पतला हो जाता है

D.

बैटरी का धनात्मक टर्मिनल p-पक्ष से जुड़ा होता है और अवक्षय क्षेत्र मोटा हो जाता है

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Explanation

p-n संधि के अग्र अभिनति में बैटरी का धनात्मक टर्मिनल p-पक्ष से जुड़ा होता है और अवक्षय क्षेत्र पतला हो जाता है।

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n-प्रकार के अर्धचालक में, निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

A.

इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक वाहक हैं और त्रिसंयोजक परमाणु अपमिश्रक हैं

B.

इलेक्ट्रॉन अल्पसंख्यक वाहक हैं और पंचसंयोजक परमाणु अपमिश्रक हैं

C.

होल अल्पसंख्यक वाहक हैं और पंचसंयोजक परमाणु अपमिश्रक हैं

D.

होल बहुसंख्यक वाहक हैं और त्रिसंयोजक परमाणु अपमिश्रक हैं

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Explanation

(c) n-प्रकार का अर्धचालक संयोजकता 5 वाले अशुद्धि परमाणु अर्थात् पंचसंयोजक परमाणु, जैसे फॉस्फोरस, के अपमिश्रण द्वारा उत्पन्न किया जा सकता है।

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निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

A.

शुद्ध Si को त्रिसंयोजक अशुद्धियों से अपमिश्रित करने पर p-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त होता है

B.

n-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक वाहक छिद्र होते हैं

C.

p-प्रकार के अर्धचालक में अल्पसंख्यक वाहक इलेक्ट्रॉन होते हैं

D.

आंतरिक अर्धचालक का प्रतिरोध तापमान बढ़ने के साथ घटता है

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Explanation

p-प्रकार का अर्धचालक शुद्ध अर्धचालक (Ge) के नमूने में थोड़ी मात्रा में त्रिसंयोजक अशुद्धि मिलाकर प्राप्त किया जाता है।

बहुसंख्यक आवेश वाहक-छिद्र

अल्पसंख्यक आवेश वाहक-इलेक्ट्रॉन

n-प्रकार का अर्धचालक शुद्ध अर्धचालक (Ge) के नमूने में थोड़ी मात्रा में पंचसंयोजक अशुद्धि मिलाकर प्राप्त किया जाता है।

बहुसंख्यक आवेश वाहक-इलेक्ट्रॉन

आंतरिक अर्धचालकों का प्रतिरोध तापमान बढ़ने के साथ घटता है।

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वह उपकरण जो एक पूर्ण इलेक्ट्रॉनिक परिपथ के रूप में कार्य कर सकता है, वह है

A.

संधि डायोड

B.

एकीकृत परिपथ

C.

संधि ट्रांजिस्टर

D.

जेनर डायोड

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Explanation

एकीकृत परिपथ लघु इलेक्ट्रॉनिक परिपथ होते हैं जो सिलिकॉन जैसे अर्धचालक के एकल क्रिस्टल के भीतर निर्मित होते हैं। इनमें लगभग दस लाख या उससे अधिक ट्रांजिस्टर और प्रतिरोधक या संधारित्र होते हैं। इनका उपयोग मेमोरी परिपथों, माइक्रो कंप्यूटरों, पॉकेट कैलकुलेटरों और इलेक्ट्रॉनिक घड़ियों में उनकी कम लागत और आकार, विश्वसनीयता के कारण अर्धचालक क्रिस्टल के विशिष्ट क्षेत्रों में व्यापक रूप से किया जाता है।

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यदि जर्मेनियम क्रिस्टल में थोड़ी मात्रा में एंटीमनी मिलाई जाए

A.

एंटीमनी एक ग्राही परमाणु बन जाता है

B.

अर्धचालक में होल की तुलना में अधिक मुक्त इलेक्ट्रॉन होंगे

C.

इसका प्रतिरोध बढ़ जाता है

D.

यह p-प्रकार का अर्धचालक बन जाता है

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Explanation

जब जर्मेनियम क्रिस्टल में थोड़ी मात्रा में एंटीमनी मिलाई जाती है,

क्रिस्टल n-प्रकार का अर्धचालक बन जाता है

क्योंकि एंटीमनी एक

पंचसंयोजी पदार्थ है। यह अतिरिक्त मुक्त इलेक्ट्रॉन।

Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits NEET प्रश्न हिंदी में — भौतिक विज्ञान (Physics) MCQ उत्तर सहित

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