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क्या ये NEET के पिछले वर्षों के प्रश्न (PYQ) हैं?

इस प्रश्न बैंक में NEET के पिछले वर्षों के प्रश्न (PYQ) और अभ्यास प्रश्न दोनों शामिल हैं — जहाँ लागू हो, हर प्रश्न पर उसका परीक्षा वर्ष अंकित है।

भौतिक विज्ञान (Physics) NEET प्रश्न हिंदी में — मुफ़्त MCQ अभ्यास

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मुक्त इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता मुक्त होलों की तुलना में अधिक होती है क्योंकि

A.

वे ऋणात्मक आवेश रखते हैं

B.

वे हल्के होते हैं

C.

वे आपस में कम टकराते हैं

D.

उन्हें अपनी गति जारी रखने के लिए कम ऊर्जा की आवश्यकता होती है

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Explanation

(d) इलेक्ट्रॉनों को गतिशीलता के लिए कम ऊर्जा की आवश्यकता होती है क्योंकि वे होलों की तुलना में अपनी गति के दौरान कम प्रतिरोध का सामना करते हैं।

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यदि $n_{e}$ और $v_{d}$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या और अपवाह वेग हैं। जब तापमान बढ़ाया जाता है

A.

$n_{e}$ बढ़ता है और $v_{d}$ घटता है

B.

$n_{e}$ घटता है और $v_{d}$ बढ़ता है

C.

दोनों $n_{e}$ और $v_{d}$ बढ़ते हैं

D.

दोनों $n_{e}$ और $v_{d}$ घटते हैं

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Explanation

(a) क्योंकि $v_{d} = \frac{I}{(n_{e}) eA}$

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नैज अर्धचालक विद्युत रूप से उदासीन होता है। बड़ी संख्या में धारा वाहकों वाला अशुद्ध अर्धचालक होगा

A.

धनावेशित

B.

ऋणावेशित

C.

धनावेशित या ऋणावेशित, यह मिलाई गई अशुद्धि के प्रकार पर निर्भर करता है

D.

विद्युत रूप से उदासीन

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Explanation

(d) अशुद्ध अर्धचालक (N-प्रकार या P-प्रकार) उदासीन होते हैं।

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निम्नलिखित में से कौन सा कथन N-प्रकार अर्धचालक के लिए सत्य है?

A.

दाता स्तर चालन बैंड के निचले भाग के ठीक नीचे स्थित होता है

B.

दाता स्तर संयोजक बैंड के शीर्ष के ठीक ऊपर स्थित होता है

C.

दाता स्तर निषिद्ध ऊर्जा अंतराल के मध्य बिंदु पर स्थित होता है

D.

उपरोक्त में से कोई नहीं

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Explanation

(a) N-प्रकार अर्धचालक के लिए, दाता स्तर चालन बैंड के निचले भाग के नीचे स्थित होता है।

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बिना फिल्टर के ज्यावक्रीय संकेत द्वारा संचालित अर्ध-तरंग डायोड दिष्टकारी के निर्गम में शिखर वोल्टता 10 V है। निर्गम वोल्टता का DC घटक है

A.

$10 / \sqrt{2}$ V

B.

$10 / π$ V

C.

10 V

D.

$20 / π$ V

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Explanation

(b) अर्ध-तरंग दिष्टकारी में $V_{dc} = \frac{V_{0}}{π} = \frac{10}{π}$

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एक निहित अर्धचालक के चालन बैंड में एक सीमित तापमान पर इलेक्ट्रॉनों के पाए जाने की प्रायिकता

A.

बढ़ते बैंड अंतराल के साथ घातीय रूप से घटती है

B.

बढ़ते बैंड अंतराल के साथ घातीय रूप से बढ़ती है

C.

बढ़ते तापमान के साथ घटती है

D.

तापमान और बैंड अंतराल से स्वतंत्र होती है

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Explanation

(a) एक निहित अर्धचालक के चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों के पाए जाने की प्रायिकता

$P (E) = \frac{1}{1 + e^{\frac{(E - E_{F})}{kT}}}$ ; जहाँ k = बोल्ट्ज़मान स्थिरांक
इसलिए, एक सीमित तापमान पर, प्रायिकता बढ़ते बैंड अंतराल के साथ घातीय रूप से घटती है।

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एक सिलिकॉन नमूने को औसतन एक इंडियम परमाणु प्रति $5 \times 10^{7}$ सिलिकॉन परमाणुओं के अनुपात में डोपिंग करके P-प्रकार अर्धचालक बनाया जाता है। यदि सिलिकॉन नमूने में परमाणुओं का संख्या घनत्व $5 \times 10^{28} atoms / m^{3}$ है, तो सिलिकॉन में प्रति घन सेंटीमीटर स्वीकारकर्ता परमाणुओं की संख्या होगी

A.

$2.5 \times 10^{30} atoms / {cm}^{3}$

B.

$1.0 \times 10^{13} atoms / {cm}^{3}$

C.

$1.0 \times 10^{15} atoms / {cm}^{3}$

D.

$2.5 \times 10^{36} atoms / {cm}^{3}$

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Explanation

(c) सिलिकॉन नमूने में परमाणुओं का संख्या घनत्व = $5 \times 10^{28} atom / m^{3}$ = $5 \times 10^{22} atom / {cm}^{3}$ . चूँकि एक इंडियम परमाणु $5 \times 10^{7}$ Si परमाणुओं में डोप किया जाता है। अतः सिलिकॉन के प्रति ${cm}^{3}$ में डोप किए गए इंडियम परमाणुओं की संख्या।

$n = \frac{5 \times 10^{22}}{5 \times 10^{7}} = 1 \times 10^{15} atom / {cm}^{3}$

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एक अर्धचालक पदार्थ में, इलेक्ट्रॉनों और होलों की गतिशीलता क्रमशः $μ_{e}$ और $μ_{h}$ हैं। निम्नलिखित में से कौन सा सत्य है?

A.

$μ_{e}$ > $μ_{h}$

B.

$μ_{e}$ < $μ_{h}$

C.

$μ_{e}$ = $μ_{h}$

D.

$μ_{e}$ <0; $μ_{h}$ >0

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Explanation

(a) क्योंकि इलेक्ट्रॉनों को चलने के लिए कम ऊर्जा की आवश्यकता होती है।

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एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों के कारण कुल धारा में योगदान क्रमशः $\frac{3}{4}$ और $\frac{1}{4}$ है। यदि इस तापमान पर इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग होलों के अपवाह वेग का $\frac{5}{2}$ गुना है, तो इलेक्ट्रॉनों और होलों की सांद्रता का अनुपात है

A.

6 : 5

B.

5 : 6

C.

3 : 2

D.

2 : 3

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Explanation

(a) जैसा कि हम जानते हैं धारा घनत्व J=nqv

$\Rightarrow J_{e} = n_{e} {qv}_{e} and J_{h} = n_{h} {qv}_{h} \Rightarrow \frac{J_{e}}{J_{h}} = \frac{n_{e}}{n_{h}} \times \frac{v_{e}}{v_{h}} \Rightarrow \frac{3 / 4}{1 / 4} = \frac{n_{e}}{n_{h}} \times \frac{5}{20} \Rightarrow \frac{n_{e}}{n_{h}} = \frac{6}{5}$

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धातु और अर्धचालक में तापमान के साथ प्रतिरोध की भिन्नता में अंतर मूलतः में अंतर के कारण उत्पन्न होता है

A.

तापमान के साथ प्रकीर्णन तंत्र की भिन्नता

B.

क्रिस्टल संरचना

C.

तापमान के साथ आवेश वाहकों की संख्या की भिन्नता

D.

बंध का प्रकार

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Explanation

(c) धातु में, तापमान में वृद्धि के साथ आवेश वाहकों की संख्या समान रहती है और उनकी गतिज ऊर्जा बढ़ती है।

अर्धचालक में, तापमान में वृद्धि के साथ आवेश वाहकों की संख्या बढ़ती है।

भौतिक विज्ञान (Physics) NEET प्रश्न हिंदी में — उत्तर सहित MCQ अभ्यास

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