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Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits

Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits NEET प्रश्न हिंदी में — भौतिक विज्ञान (Physics) MCQ उत्तर सहित

Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits (Physics) के NEET बहुविकल्पीय प्रश्न हिंदी में मुफ़्त हल करें — तुरंत सही उत्तर और विस्तृत व्याख्या के साथ। लॉगिन की आवश्यकता नहीं।

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भाषा English हिंदी

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● ● ● ● ●

एक सामान्य आधार प्रवर्धक में इनपुट सिग्नल वोल्टता और आउटपुट वोल्टता के बीच कला अंतर है

$π / 4$

$π / 2$

$π$

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Explanation

(a) CB प्रवर्धक में इनपुट और आउटपुट वोल्टता सिग्नल समान कला में होते हैं।

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ट्रांजिस्टर के CB मोड में, जब संग्राहक वोल्टता 0.5 वोल्ट से बदली जाती है। संग्राहक धारा 0.05 mA से बदलती है। निर्गम प्रतिरोध होगा

10 k $Ω$

20 k $Ω$

5 k $Ω$

2.5 k $Ω$

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Explanation

(a) यहाँ $∆ V_{c} = 0.5 V, ∆ i_{c} = 0.05 mA = 0.05 \times 10^{- 3} A$

निर्गम प्रतिरोध निम्न द्वारा दिया जाता है

$R_{out} = \frac{∆ V_{c}}{∆ i_{c}} = \frac{0.5}{0.05 \times 10^{- 3}} = 10^{4} Ω = 10 kΩ$

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एक उभयनिष्ठ आधार प्रवर्धक परिपथ में, आधार धारा में परिवर्तन ज्ञात कीजिए यदि उत्सर्जक धारा में परिवर्तन 2 mA है और $α$ = 0.98

0.04 mA

1.96 mA

0.98 mA

2 mA

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Explanation

(a)

$∆ i_{c} = α ∆ i_{e} = 0.98 \times 2 = 1.96 mA ∴ ∆ i_{b} = ∆ i_{e} - ∆ i_{c} = 2 - 1.96 = 0.04 mA$

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एक NPN ट्रांजिस्टर प्रवर्धक को सामान्य-उत्सर्जक विन्यास में लीजिए। ट्रांजिस्टर का धारा लाभ 100 है। यदि संग्राहक धारा में 1 mA का परिवर्तन होता है, तो उत्सर्जक धारा में क्या परिवर्तन होगा?

1.1 mA

1.01 mA

0.01 mA

10 mA

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Explanation

(b) धारा लाभ $β = \frac{∆ i_{c}}{∆ i_{b}} \Rightarrow ∆ i_{b} = \frac{1 \times 10^{- 3}}{100} = 10^{- 5} A = 0.01 mA$

उपयोग करके, $∆ i_{e} = ∆ i_{b} + ∆ i_{c} \Rightarrow ∆ i_{e} = 1.01 + 1 = 1.01 mA$

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एक ट्रांजिस्टर के धारा लाभ के $α$ और $β$ प्राचलों के बीच संबंध निम्न द्वारा दिया जाता है

$α = \frac{β}{1 - β}$

$α = \frac{β}{1 + β}$

$α = \frac{1 - β}{β}$

$α = \frac{1 + β}{β}$

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Explanation

(b) $i_{e} = i_{b} + i_{c} \Rightarrow \frac{i_{e}}{i_{c}} = \frac{i_{b}}{i_{c}} + 1 \Rightarrow \frac{1}{α} = \frac{1}{β} + 1 \Rightarrow α = \frac{β}{(1 + β)}$

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एक ट्रांजिस्टर के लिए, सामान्य उत्सर्जक व्यवस्था में, प्रत्यावर्ती धारा लाभ $β$ द्वारा दिया जाता है

$β = {(\frac{∆ I_{c}}{∆ I_{B}})}_{V_{C}}$

$β = {(\frac{∆ I_{B}}{∆ I_{C}})}_{V_{C}}$

$β = {(\frac{∆ I_{c}}{∆ I_{E}})}_{V_{C}}$

$β = {(\frac{∆ I_{E}}{∆ I_{C}})}_{V_{C}}$

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Explanation

(a) सामान्य उत्सर्जक ट्रांजिस्टर के लिए : $β = {(\frac{∆ I_{c}}{∆ I_{B}})}_{V_{C}}$

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NPN ट्रांजिस्टर में संग्राहक धारा 10 mA है। यदि उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों का 90% संग्राहक तक पहुँचता है, तो

उत्सर्जक धारा 9 mA होगी

उत्सर्जक धारा 11.1 mA होगी

आधार धारा 0.1 mA होगी

आधार धारा 0.01 mA होगी

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Explanation

(b) चूँकि 90% इलेक्ट्रॉन संग्राहक तक पहुँचते हैं, तो

$\Rightarrow$ उत्सर्जक धारा का 90% = 10 mA

$\Rightarrow$ उत्सर्जक धारा = $\frac{10}{90} \times 100 = 11.1 m A$

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सोडियम में अंत:केंद्रित परमाणु और कोने के परमाणु के बीच की दूरी (a = 4.225 Å) है

3.66 Å

3.17 Å

2.99 Å

2.54 Å

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CE विन्यास में एक ट्रांजिस्टर में, शक्ति लाभ का वोल्टता लाभ से अनुपात है

$α$

$β / α$

$βα$

$β$

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Explanation

(d) CE विन्यास के लिए वोल्टता लाभ $= β \times R_{L} / R_{i}$

शक्ति लाभ = $β^{2} \times R_{L} / R_{i} \Rightarrow \frac{Power gain}{Voltage gain} = β$

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एक क्रिस्टल में, परमाणु के स्थान पर स्थित होते हैं

अधिकतम स्थितिज ऊर्जा

न्यूनतम स्थितिज ऊर्जा

शून्य स्थितिज ऊर्जा

अनंत स्थितिज ऊर्जा

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Explanation

(b) परमाणु स्थायी संतुलन में रहने के लिए न्यूनतम स्थितिज ऊर्जा पर स्थित होते हैं।

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Frequently Asked Questions

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