आयनिक बंधन अनुपस्थित है
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(d) H2O में सहसंयोजक बंधन उपस्थित है।
Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits NEET प्रश्न हिंदी में — भौतिक विज्ञान (Physics) MCQ उत्तर सहित
Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits (Physics) के NEET बहुविकल्पीय प्रश्न हिंदी में मुफ़्त हल करें — तुरंत सही उत्तर और विस्तृत व्याख्या के साथ। लॉगिन की आवश्यकता नहीं।
जर्मेनियम क्रिस्टल (अर्धचालक) में बंधन है
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(d) सहसंयोजक बंधन अर्धचालक में मौजूद होता है।
सिलिकॉन एक अर्धचालक है। यदि इसमें थोड़ी मात्रा में As मिलाया जाए, तो इसकी विद्युत चालकता
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(b) अशुद्धि चालकता बढ़ाती है।
जर्मेनियम क्रिस्टल को N-प्रकार का अर्धचालक बनाने के लिए उसमें मिलाए जाने वाले अशुद्धि परमाणु की संयोजकता है
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जर्मेनियम को N-प्रकार का अर्धचालक बनाने के लिए, हमें एक पंचसंयोजी अशुद्धि परमाणु, जैसे एंटीमनी (Sb), आर्सेनिक (As), या फॉस्फोरस (P) मिलाने की आवश्यकता होती है। इन अशुद्धि परमाणुओं में पाँच संयोजी इलेक्ट्रॉन होते हैं, जो जर्मेनियम के चार से एक अधिक है। यह अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन कमजोर रूप से बंधा होता है और स्वतंत्र रूप से गति कर सकता है, जो विद्युत चालकता में योगदान देता है।
तांबे का एक टुकड़ा और जर्मेनियम का दूसरा टुकड़ा कमरे के तापमान से 80 K तक ठंडा किया जाता है, तो निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही होगा
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(d) तापमान में कमी के साथ चालकों (Cu) का प्रतिरोध घटता है जबकि तापमान में कमी के साथ अर्धचालकों (Ge) का प्रतिरोध बढ़ता है।
P-प्रकार का Si अर्धचालक प्राप्त करने के लिए, हमें शुद्ध Si में मिलाना होगा
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(a) एल्युमिनियम त्रिसंयोजक अशुद्धि है
जर्मेनियम क्रिस्टल को P-प्रकार अर्धचालक में बदलने के लिए उसमें मिलाई गई अशुद्धि की संयोजकता है
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विद्युत के अच्छे चालकों में, मौजूद बंधन का प्रकार है
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(d) धात्विक बंधन अच्छे चालकों में मौजूद होता है।
एक विद्युतरोधी में, संयोजक बैंड और चालन बैंड के बीच निषिद्ध ऊर्जा अंतराल लगभग होता है
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(d) विद्युतरोधी में, निषिद्ध ऊर्जा अंतराल सबसे बड़ा होता है और यह लगभग 15 eV के क्रम का होता है।
अर्धचालक की विद्युत चालकता
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(b) तापमान वृद्धि के साथ अर्धचालकों की चालकता बढ़ती है।
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Frequently Asked Questions
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