एक P-प्रकार का अर्धचालक को जोड़कर प्राप्त किया जा सकता है
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(b) Ga की संयोजकता 3 है।
Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits NEET प्रश्न हिंदी में — भौतिक विज्ञान (Physics) MCQ उत्तर सहित
Semiconductor Electronics: Materials, Devices and Simple Circuits (Physics) के NEET बहुविकल्पीय प्रश्न हिंदी में मुफ़्त हल करें — तुरंत सही उत्तर और विस्तृत व्याख्या के साथ। लॉगिन की आवश्यकता नहीं।
N-प्रकार का अर्धचालक होता है
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(c) N-प्रकार के अर्धचालक उदासीन होते हैं क्योंकि डोपिंग के दौरान उदासीन परमाणु जोड़े जाते हैं।
जब एक अर्धचालक को गर्म किया जाता है, तो इसका प्रतिरोध
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(a) तापमान वृद्धि के साथ अर्धचालकों की चालकता बढ़ती है
तार P और Q का सामान्य (कमरे के) तापमान पर समान प्रतिरोध होता है। गर्म करने पर, P का प्रतिरोध बढ़ता है और Q का प्रतिरोध घटता है। हम निष्कर्ष निकालते हैं कि
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(d) चालक में प्रतिरोध का धनात्मक तापमान गुणांक होता है जबकि अर्धचालक में प्रतिरोध का ऋणात्मक तापमान गुणांक होता है।
जब Ge क्रिस्टल में फॉस्फोरस परमाणु डोप किया जाता है, तो यह बन जाता है
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(c) फॉस्फोरस पंचसंयोजी है।
P-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक आवेश वाहक क्रमशः हैं
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(d) P-प्रकार के अर्धचालकों में, होल बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं और इलेक्ट्रॉन अल्पसंख्यक आवेश वाहक होते हैं
चालकों, अर्धचालकों और कुचालकों में निषिद्ध ऊर्जा बैंड अंतराल क्रमशः और क्रमशः हैं। इनके बीच का संबंध है
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(b) कुचालकों में निषिद्ध ऊर्जा अंतराल बहुत बड़ा होता है, अर्धचालक के मामले में यह मध्यम होता है और चालकों में ऊर्जा अंतराल शून्य होता है।
बाह्य P और N-प्रकार, अर्धचालक पदार्थों में, अशुद्धि परमाणुओं का शुद्ध अर्धचालक परमाणुओं से अनुपात लगभग होता है
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(d) बाह्य अर्धचालकों में, अशुद्धि परमाणु प्रति शुद्ध अर्धचालक के एक परमाणु में मिश्रित होते हैं।
मान लीजिए और क्रमशः एक अर्धचालक में होल और चालन इलेक्ट्रॉनों की संख्या हैं। तब
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(c) आंतरिक अर्धचालकों में, तापीय ऊर्जा द्वारा एक मुक्त इलेक्ट्रॉन के निर्माण या मुक्ति ने एक होल बनाया है। इस प्रकार आंतरिक अर्धचालकों में =
कमरे के तापमान पर जर्मेनियम के ऊर्जा बैंडों में निषिद्ध अंतराल लगभग होता है
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(c)
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Frequently Asked Questions
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