एक P-N फोटोडायोड 2.0ev बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग है (hc = 1240eVnm लें)
$ A_p = { Av^2 \over {R_L \over r_i } } $
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एक P-N फोटोडायोड 2.0ev बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग है (hc = 1240eVnm लें)
$ A_p = { Av^2 \over {R_L \over r_i } } $
एक P-N जंक्शन पर 0.6V का विभव अवरोध विद्यमान है। यदि अवक्षय क्षेत्र $1 \mu$ m चौड़ा है, तो क्षेत्र में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता क्या है?
$ E = { v \over d } = { 0.6 \over 10^{-6}} $
अर्धचालक, चालक और विद्युतरोधी में निषिद्ध ऊर्जा बैंड अंतराल क्रमशः $E_1, E_2 and E_3 $ हैं। तब के बीच संबंध है:
तांबे और सिलिकॉन पदार्थ को 600K से 400K तक ठंडा किया जाता है, तब तांबे और सिलिकॉन की प्रतिरोधकता
जेनर डायोड का उपयोग किस रूप में किया जाता है?
जेनर डायोड विशेष रूप से इस प्रकार डिज़ाइन किया जाता है कि जब एक विशिष्ट, निर्धारित वोल्टता प्राप्त होती है, तो यह विपरीत दिशा में धारा प्रवाहित होने देता है। यह गुणधर्म इसे D.C. वोल्टता नियामक के रूप में बहुत उपयोगी बनाता है। यह भार धारा या इनपुट वोल्टता में परिवर्तन के बावजूद एक स्थिर आउटपुट वोल्टता बनाए रखता है।
अर्धचालक में अशुद्धि के रूप में फॉस्फोरस होने पर इसमें होगा
जब फॉस्फोरस, एक पंचसंयोजी अशुद्धि, को एक अर्धचालक (सामान्यतः सिलिकॉन) में मिलाया जाता है, तो यह अतिरिक्त इलेक्ट्रॉन दान करता है। इस प्रकार के अर्धचालक को n-प्रकार का अर्धचालक कहा जाता है। n-प्रकार के अर्धचालक में, इलेक्ट्रॉनों की संख्या (n_e) छिद्रों की संख्या (n_h) से बहुत अधिक होती है। इसलिए, सही उत्तर n_e > n_h है।
P-प्रकार के अर्धचालक में कितने मुक्त इलेक्ट्रॉन होते हैं?
जब एक जेनर डायोड होता है तो लोड-धारा लगभग स्थिर रहती है:
$ V_{rms } = { V_m \over \sqrt 2 } $
डायोड किस प्रकार का उपकरण है?
डायोड एक अरैखिक उपकरण है। इसका अर्थ है कि इसका धारा-वोल्टता (I-V) संबंध एक सीधी रेखा नहीं है, जो इंगित करता है कि यह अपनी पूर्ण संचालन सीमा में ओम के नियम का पालन नहीं करता है। इसके बजाय, एक डायोड एक दिशा (अग्र अभिनति) में आसानी से धारा प्रवाहित होने देता है जबकि विपरीत दिशा (पश्च अभिनति) में उच्च प्रतिरोध प्रदान करता है।
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