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चुंबकीय क्षेत्र रेखाओं और वैद्युत क्षेत्र रेखाओं के संबंध में निम्नलिखित में से कौन-सा सत्य है?
पाठ कहता है: 'चुंबकीय क्षेत्र रेखाएँ कहलाने वाली ये रेखाएँ बंद पाश बनाती हैं। यह स्थिरवैद्युत क्षेत्र रेखाओं के विपरीत है, जो धनावेशों से निकलकर ऋणावेशों पर समाप्त होती हैं।' यह दोनों प्रकार के क्षेत्रों के बीच एक प्रमुख अंतर है।
कमरे के ताप पर n-प्रकार के सिलिकॉन अर्धचालक के ऊर्जा बैंड आरेख में दाता ऊर्जा स्तर ($E_D$) चालन बैंड ($E_C$) के सापेक्ष कहाँ स्थित होता है?
NCERT पाठ के अनुसार, 'n-प्रकार के Si अर्धचालक के ऊर्जा बैंड आरेख में दाता ऊर्जा स्तर $E_D$ चालन बैंड के तल $E_C$ से थोड़ा नीचे होता है और इस स्तर से इलेक्ट्रॉन बहुत कम ऊर्जा की आपूर्ति से चालन बैंड में चले जाते हैं।' यह स्थिति चालन बैंड को इलेक्ट्रॉन दान को सुगम बनाती है।
p-प्रकार के अर्धचालक के लिए ग्राही ऊर्जा स्तर ($E_A$) संयोजकता बैंड ($E_V$) के सापेक्ष कहाँ स्थित होता है?
NCERT कहता है, 'p-प्रकार के अर्धचालक के लिए ग्राही ऊर्जा स्तर $E_A$ संयोजकता बैंड के शीर्ष $E_V$ से थोड़ा ऊपर होता है... बहुत कम ऊर्जा की आपूर्ति से संयोजकता बैंड का एक इलेक्ट्रॉन स्तर $E_A$ पर कूद सकता है और ग्राही को ऋणात्मक रूप से आयनित कर सकता है।' इससे संयोजकता बैंड में होल बनते हैं, जो p-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक वाहक हैं।
कमरे के ताप पर n-प्रकार के अर्धचालकों में चालन बैंड के इलेक्ट्रॉनों का प्राथमिक स्रोत क्या है?
संदर्भ में उल्लेख है, 'कमरे के ताप पर अधिकांश दाता परमाणु आयनित हो जाते हैं, परंतु Si के बहुत कम (~10^12) परमाणु आयनित होते हैं। अतः चालन बैंड में अधिकांश इलेक्ट्रॉन दाता अशुद्धियों से आए होंगे।' यह रेखांकित करता है कि n-प्रकार के अर्धचालकों में चालन इलेक्ट्रॉनों का प्रमुख स्रोत अपमिश्रण (डोपिंग) है।
कमरे के ताप पर p-प्रकार के बाह्य अर्धचालक में संयोजकता बैंड में होलों का घनत्व मुख्यतः किससे निर्धारित होता है?
NCERT पाठ स्पष्ट करता है, 'कमरे के ताप पर अधिकांश ग्राही परमाणु आयनित हो जाते हैं और संयोजकता बैंड में होल छोड़ जाते हैं। इस प्रकार कमरे के ताप पर संयोजकता बैंड में होलों का घनत्व मुख्यतः बाह्य अर्धचालक में अशुद्धि के कारण होता है।'
बाह्य अर्धचालक में अपमिश्रण (डोपिंग) अल्पसंख्यक वाहकों की नैज सांद्रता को कैसे प्रभावित करता है?
NCERT कहता है, 'बाह्य अर्धचालकों में बहुसंख्यक धारा वाहकों की प्रचुरता के कारण ऊष्मीय रूप से उत्पन्न अल्पसंख्यक वाहकों के बहुसंख्यक वाहकों से मिलने और इस प्रकार नष्ट होने की संभावना अधिक होती है। अतः अपमिश्रक, एक प्रकार के बड़ी संख्या में धारा वाहक जोड़कर, जो बहुसंख्यक वाहक बन जाते हैं, अप्रत्यक्ष रूप से अल्पसंख्यक वाहकों की नैज सांद्रता घटाने में सहायक होता है।'
n-प्रकार के अर्धचालक में दाता ऊर्जा स्तर ($E_D$) के इलेक्ट्रॉन न्यूनतम ऊर्जा आपूर्ति से चालन बैंड ($E_C$) में क्यों जा सकते हैं, इसका प्राथमिक कारण क्या है?
अंश पुष्टि करता है, 'दाता ऊर्जा स्तर $E_D$ चालन बैंड के तल $E_C$ से थोड़ा नीचे होता है और इस स्तर से इलेक्ट्रॉन बहुत कम ऊर्जा की आपूर्ति से चालन बैंड में चले जाते हैं।' यह छोटा ऊर्जा अंतर इलेक्ट्रॉनों के संक्रमण को आसान बनाता है।
बाह्य अर्धचालकों की समग्र आवेश उदासीनता के संबंध में निम्नलिखित में से कौन-सा कथन सही है?
NCERT p-प्रकार के अर्धचालकों के लिए स्पष्ट कहता है, और यह सामान्यतः लागू है, 'ध्यान दें कि क्रिस्टल समग्र आवेश उदासीनता बनाए रखता है, क्योंकि अतिरिक्त आवेश वाहकों का आवेश जालक में आयनित कोरों के आवेश के ठीक बराबर और विपरीत होता है।'
n-प्रकार के अर्धचालक में, जब कमरे के ताप पर दाता परमाणु आयनित होते हैं, तो दाता परमाणुओं की तुलना में आयनित होने वाले नैज सिलिकॉन परमाणुओं की लगभग संख्या क्या होती है?
पाठ कहता है, 'कमरे के ताप पर अधिकांश दाता परमाणु आयनित हो जाते हैं, परंतु Si के बहुत कम (~10^12) परमाणु आयनित होते हैं।' इसका अर्थ है कि मुक्त आवेश वाहकों में योगदान देने वाले दाता परमाणुओं की तुलना में आयनित होने वाले नैज Si परमाणुओं की संख्या काफ़ी कम है।
p-प्रकार के अर्धचालक में कौन-सी घटना संयोजकता बैंड के इलेक्ट्रॉन के ग्राही स्तर $E_A$ पर कूदने के तुल्य है?
NCERT कहता है, 'बहुत कम ऊर्जा की आपूर्ति से संयोजकता बैंड का एक इलेक्ट्रॉन स्तर $E_A$ पर कूद सकता है और ग्राही को ऋणात्मक रूप से आयनित कर सकता है। (वैकल्पिक रूप से हम यह भी कह सकते हैं कि बहुत कम ऊर्जा की आपूर्ति से स्तर $E_A$ का होल संयोजकता बैंड में नीचे उतर जाता है। बाह्य ऊर्जा प्राप्त करने पर इलेक्ट्रॉन ऊपर उठते हैं और होल नीचे गिरते हैं।)'
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